Il progetto rivolge l’attenzione  a sistemi che combinano un semiconduttore 2D con forte accoppiamento spin-orbita (SOC) e uno strato magnetico, in cui la prossimità magnetica rompe la simmetria di inversione temporale e l’SOC indotto per prossimità apre un gap topologico con numero di Chern diverso da zero. I materiali promettenti verranno selezionati attraverso simulazioni ab initio basate sulla teoria del funzionale della densità (DFT), impiegando workflow ad alto rendimento (high-throughput). Il progetto prevede inoltre di identificare strategie per manipolare l’allineamento di banda e la topologia emergente mediante campi elettrici e magnetici, con ricadute potenziali sui dispositivi futuri, inclusa la possibilità di invertire selettivamente le bande solo in una singola valle, aprendo la strada ad applicazioni valleytroniche.

• Organismo di Ricerca proponente

Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia

• Finanziamento

€ 233.624,14

• Durata

18 mesi da avvio attività